Уважаемые читатели! Сайт отображается в мобильной версии. Для отображения полной версии сайта необходимо открыть сайт в окне шириною не менее 1024 пикселей.

Японські дослідники спробували схрестити пам'ять типу PCM і NAND

Коваленко Андрей

Дата последнего входа: 07.01.2014 07:59:04
Дата регистрации: 11.03.2012 02:40:32
День рождения: 6 июня
Пол: Мужской
Коваленко Андрей -> Всем
Японські дослідники спробували схрестити пам'ять типу PCM і NAND
В ході заходу Міжнародний семінар пам'яті, що завершився вчора в Мілані, група японських фахівців представила пам'ять, в якій використовується ефект фазового переходу речовини (зміна фази пам'яті, PCM) типу NAND.

Розробники використовували транзистори з полікристалічного кремнію, виготовлені за технологією МОП, в безконтактних ланцюгах вибірки, побудованих за тим же принципом, що й у випадку структур флеш-пам'яті типу NAND. Це дозволяє зменшити теоретичний розмір осередку до 4F2 і скоротити кількість технологічних етапів при виробництві пам'яті. Очікується, що нова технологія знайде застосування в пам'яті PCM з об'ємною компонувань осередків, такий, як BiCS. Нагадаємо, технологію BiCS, починаючи з 2007 року, розробляє компанія Toshiba.

В сучасних зразках пам'яті типу PCM використовується інтерфейс, характерний для пам'яті типу RAM, що забезпечує незалежний доступ до кожної клітинки. Він забезпечує малий час скидання осередку (десяті частки наносекунди), але порівняно великий час запису - кілька сотень наносекунд, що негативно позначається на енергоспоживанні. У випадку з новим інтерфейсом час і енергоспоживання скорочується за рахунок одночасного звернення до цілого блоку осередків. За даними розробників, час запису скоротилася на 670%, енергоспоживання - на 70% в порівнянні з використанням інтерфейсу пам'яті. Мінусом є відсутність довільного доступу до осередку.